Silicon Carbide Sic grafit crucible kanggo leleh logam kanthi suhu dhuwur
Kinerja Crucible Silicon Carbide
| Paramèter | data | Paramèter | data |
| SiC | ≥85% | Dingin Crushing Strength | ≥100MPa |
| SiO₂ | ≤10% | Porositas sing katon | ≤%18 |
| Fe₂O₃ | <1% | Tahan Suhu | ≥1700°C |
| Akeh Kapadhetan | ≥2,60 g/cm³ | Kita bisa ngasilake miturut kabutuhan pelanggan | |
Katrangan
Minangka jenis produk refraktori canggih, Silicon carbide grafit crucible minangka bahan refraktori sing cocog ing industri metalurgi bubuk (gedhe spons wesi trowongan kiln).The Silicon carbide grafit crucible diprodhuksi dening Rongsheng Group nggunakake 98% bahan mentahan silikon carbide grafit dhuwur-bahan, lan proses khusus ditambahake kanggo pilihan saka bahan baku kanggo mesthekake kemurnian dhuwur saka bahan mentahan.
Silicon carbide grafit crucible digunakake digunakake ing industri kimia, materi negatif lan wesi karang, peleburan logam, generasi daya fotovoltaik, lapangan daya nuklir lan macem-macem tungku, kayata tungku frekuensi medium, tungku elektromagnetik, tungku resistance, tungku kristal karbon, tungku partikel, lsp.
Aplikasi
Silicon Carbide Graphite Crucible wis dadi pilihan populer kanggo pabrik kimia, produsen wesi lan baja, prodhusèn tenaga fotovoltaik, lan generator tenaga nuklir.Iku uga cocok kanggo digunakake ing sawetara saka sudhut tungku kayata frekuensi medium, elektromagnetik, resistance, kristal karbon, lan tungku partikel amarga konduktivitas termal banget, resistance suhu dhuwur, resistance karat unggul, lan resistance kanggo kejut termal.
Gufan Sic crucible Kaluwihan
Silicon carbide grafit crucible diprodhuksi dening Gufan Carbon Co.Ltd.nduweni karakteristik keluwesan apik, ora gampang kanggo kokain, lan urip dawa layanan, lan uga kapasitas gedhe saka sagger mundhak output, njamin kualitas, nyimpen pegawe lan persil saka biaya.
Instruksi Lan Cautions Kanggo Graphite Crucible
produk sing gegandhengan
-
Silicon Carbide Graphite Crucible Kanggo Leleh M...
Silicon Carbide Crucible Property Item Sic Content Tempeatue esistance Cabon Content Appaent Poosity Bulk Density Data ≥48% ≥1650°C ≥30%-45% ≤%18-%25 ≥1.9-2.1g/cm3 Cathetan saka:Kita bisa nyetel isi saben aw mateial kanggo poduce ing cucible accoding customes 'equiement.Silicon Cabide Kauntungan Cucible Stength dhuwur Konduktivitas tema sing apik Ekspansi tema sing rendah Ketahanan panas sing dhuwur ...
-
Kemurnian Tinggi Sic Silicon Carbide Crucible Graphi...
Silicon Carbide Crucible Performance Parameter Data Parameter Data SiC ≥85% Cold Crushing Strength ≥100MPa SiO₂ ≤10% Semu Porositas ≤%18 Fe₂O₃ <1% Temperature Resistance ≥1700°C Bulk Density ≥1700°C G2³.60 We can require customer Konduktivitas termal sing apik banget --- Nduwe konduktivitas termal sing apik banget ...
-
Silicon Graphite Crucible Kanggo Metal Leleh Cla...
Parameter Teknis Kanggo Lempung Graphite Crucible SIC C Modulus Pecah Temperatur Resistance Bulk Density Nyoto Porositas ≥ 40% ≥ 35% ≥10Mpa 1790 ℃ ≥2.2 G/CM3 ≤15% Cathetan: Kita bisa nyetel isi saben bahan mentah kanggo ngasilake bahan mentah miturut syarat pelanggan.Deskripsi Grafit sing digunakake ing crucibles iki biasane digawe ...
